当地时间2026年3月16日，美国圣何塞 —— 在全球AI领域顶级盛会NVIDIA GTC 2026大会上，三星电子半导体部门正式亮相第七代高带宽内存HBM4E，完成该款下一代AI存储芯片的全球首次公开亮相。与此同时，三星与英伟达官宣深化全链条合作，从高端HBM供应延伸至先进晶圆代工领域，进一步筑牢双方在AI算力基础设施的核心壁垒。

HBM4E硬核参数亮相 刷新AI存储性能天花板

作为三星HBM4量产版的迭代升级产品，HBM4E专为下一代超大规模AI模型训练、HPC高性能计算场景量身打造，核心性能实现跨越式提升。该款芯片采用三星先进1c nm DRAM工艺，单引脚传输速率高达16Gbps，单堆栈峰值带宽突破4TB/s，相较量产版HBM4带宽提升超20%，可轻松应对大模型海量数据吞吐需求，彻底缓解AI算力瓶颈。

除性能跃升外，三星同步展示了支撑HBM4E的混合铜键合（HCB）封装技术。该技术可实现16层及以上超高密度堆栈，相比传统热压键合工艺，芯片热阻降低20%以上，大幅提升长期运行稳定性与散热效率，适配AI数据中心7×24小时高负载运转需求。目前HBM4E已进入原型验证阶段，为后续规模化量产奠定技术基础。

量产HBM4批量供货 独家适配英伟达新一代平台

大会同期，三星官宣量产版HBM4已全面进入商业化交付阶段，良率稳步提升至50%-70%，核心稳定运行速率达11.7Gbps，峰值可至13Gbps，带宽最高3.3TB/s，独家供货英伟达Vera Rubin新一代AI计算平台，成为支撑该平台算力爆发的核心存储组件。

三星在展会现场特设“NVIDIA合作专区”，集中展示HBM4、SOCAMM2服务器内存模块、PM1763 PCIe 6.0 SSD等全系AI存储方案，其中SOCAMM2已实现量产，凭借高带宽、低功耗优势，成为英伟达AI服务器的标配组件，进一步完善双方AI硬件生态。

合作边界再拓展 代工+存储双向深度绑定

此次GTC大会上，英伟达CEO黄仁勋公开确认，三星晶圆代工业务正为英伟达代工Groq 3 LPU AI推理芯片，采用4nm先进工艺，预计2026年第三季度末至第四季度初启动量产。这标志着三星与英伟达的合作，从单一存储芯片供应，升级为存储+先进代工的全方位协同，进一步强化三星在AI半导体供应链的核心地位。

双方还同步推进“AI工厂”合作，借助英伟达Omniverse数字孪生平台与加速计算技术，优化三星半导体制造全流程，覆盖存储芯片、逻辑芯片、先进封装等环节，提升产能效率与良率管控水平，助力HBM系列产品产能持续爬坡。

产能提速+战略扩产 抢占AI存储市场高地

面对全球HBM供不应求的市场态势，三星同步公布产能扩张计划：2026年HBM整体产能计划提升50%，目标将全球市占率从当前17%拉升至30%，订单已排至2027年。韩国平泽P4工厂HBM专用产线投产时间提前至2026年第四季度，月产能可达10-12万片1c nm DRAM晶圆，全力保障英伟达等核心客户需求。

业内分析指出，HBM4E的首发与双方合作深化，进一步巩固了三星在AI高端存储赛道的话语权，也打破了行业单一供应商格局。随着AI算力需求持续爆发，三星凭借存储+代工的全产业链优势，有望在全球半导体AI竞赛中占据更主动的地位。